6월 23일(금) 18시(한국시간) 美상무부는 美반도체과학법(이하 반도체법)* 상의 인센티브 프로그램 중 대규모(3억 달러 이상) 소재·장비 제조시설 및 웨이퍼 제조시설 투자에 대한 재정 인센티브의 세부 지원계획을 공고했다.

* CHIPS and Science Act (`22.8월 발효) : 반도체 산업에 대한 재정지원 527억불
(시설투자 인센티브 390억불 포함), 투자세액공제 25% 등을 규정

반도체법에 따라 상무부에서 운영하는 재정 인센티브는 반도체 제조시설,
반도체 소재·장비 제조시설, R&D 시설 투자에 대한 지원으로 구성되어 있다.

금번 공고는 지난 2월 28일에 발표한 반도체 제조시설 투자에 대한 세부 지원계획에 이어서 두 번째로 발표된 세부 지원계획*이며, 소재·장비 소규모(3억 달러 미만) 제조시설 및 R&D 시설에 대한 지원기준은 추후 발표될 예정이다.

* 금번 공고는 2월 28일에 발표한 공고를 개정하는 방식으로 발표

이번에 발표한 대규모(3억 달러 이상) 소재·장비 제조시설 및 웨이퍼 제조시설에 대한 재정 인센티브의 세부 지원계획은 지난 2월 28일에 발표한 세부 지원계획과 동일한 지원 기준을 담고 있다. 이에 따라 보조금 수령 규모가 1.5억 달러 미만인 경우에는 초과이익 공유 및 보육프로그램 마련 등*은 적용되지 않는다.

* 반도체 제조설비와 달리 우리 소재·장비 기업의 대미투자 규모는 상대적으로 크지 않은 것으로 파악

반도체법에 따른 재정 인센티브를 수령할 의향이 있는 소재·장비기업(웨이퍼 제조기업 포함)들은 금번 공고상의 혜택과 조건 등을 종합적으로 고려하여 9.1일부터 사전 신청(선택적), 10월 23일부터 본 신청을 거쳐 재정 인센티브 지원 여부 및 규모를 美정부와 협의하게 된다. 인센티브 수혜 기업은 투자액의 5~15%의 직접 지원을 받게 된다.

우리 업계는 소재·장비 및 웨이퍼 제조 분야 설비투자에 대한 보조금 지원제도에 대하여 구체적으로 검토해 나가겠다는 입장으로, 정부는 금번에 발표된 세부 지원계획이 업계에 미치는 구체적인 영향을 업계와 긴밀히 논의하여 미 정부와의 협의 등을 지원해 나갈 계획이다.

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