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지식경제부는 26일 삼성전자, 하이닉스와 공동으로 한양대학교 퓨전기술센터내에 ‘차세대 메모리 산학연 공동연구센터’를 개소하고 STT-MRAM의 연구개발에 착수키로 했다.
STT-MRAM은 플래쉬메모리의 저장능력과 D램의 빠른 처리속도를 동시에 갖춘 차세대 메모리로 2015년 이후 제품으로 출시될 전망이다.
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| 26일 한양대에서 열린 '차세대메모리 산학연 공동연구센터' 개소식 장면. |
차세대 메모리 산학연 공동연구센터에는 국내 최초로 대학에 300mm(12인치) 반도체 장비가 구축되고, 삼성전자와 하이닉스의 전문 연구 인력이 상주한다.
일본은 차세대 메모리 시장 선점을 위해 이미 국책사업 등으로STT-MRAM 개발을 진행하고 있다.
STT-MRAM 시장은 2015년 530억 달러에 이를 것으로 추정되며 우리나라는시장 점유율 45%를 목표로 설정했다.
지식경제부는 ＂국내 반도체 산업은 지난 1993년 이후 세계 메모리 시장에서 1위를 유지하고있으나 핵심 소자구조 등 원천기술은 해외에 의존하고 있어 차세대 메모리반도체 기술개발이 시급하다＂고 밝혔다.
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